专利择要显示，本申请公开一种耐高压高可靠性双芯片引线框架，属于半导体封装技能领域，包括引线框架，所述引线框架顶部设有相互之间电气隔离的第一基岛和第二基岛，所述第一基岛顶部承载并电连接有MOS芯片，所述第二基岛顶部承载并电连接有主控芯片，所述引线框架的面历年夜于第二基岛的面积，所述第一基岛底部设有隔离槽，所述第一基岛侧边设有锁定孔；本申请通过在引线框架侧边设置的锁定孔，在对塑封时与塑封料形成嵌合构造，可以提高产品整体抗分层能力，第三引脚与顶部的第一基岛和侧边的第一引脚间隔为0.4mm，第一基岛与第二基岛之间间距设为0.3mm同时与第一引脚之间间距为0.2mm，使得引线框架具有抗高压性能，同时提高双基岛间的绝缘能力。
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