专利择要显示，在制造包括Fin FET的半导体器件的方法中，在衬底上方形成沿第一方向延伸的鳍构造。
在该衬底上方形成隔离绝缘层，使得鳍构造的上部从该隔离绝缘层暴露。
在鳍构造的部分上方形成在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅极构造。
在鳍构造的源极/漏极区的侧壁上形成鳍掩模层。
通过等离子体蚀刻工艺凹进鳍构造的源极/漏极区。
在该凹进的鳍构造上方形成外延源极/漏极构造。
在凹进鳍构造的所述源极/漏极区的过程中，等离子体工艺包括以脉冲功率施加脉冲偏置电压和RF电压。
本申请的履行例还涉及半导体器件。

本文源自金融界

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